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IBM相变存储技术实现每单元存3比特数据 成本接近闪存

    据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。
    目前的存储器种类包括最常见的动态随机存取存储器（DRAM）、硬盘以及闪存等。过去几年，PCM作为一种潜在的通用存储技术，因拥有良好的读写速度、耐用性以及非易失性等优势，成为存储产业的“后起之秀”。PCM在断电时不会像DRAM那样丢失数据，能承受至少1000万次写循环，而闪存仅能耐受3000次写循环。但由于现有内存技术的经济效益远高于新的替代技术，相变存储技术目前尚未在市场上蓬勃发展。
    PCM材料拥有非结晶态和结晶态两个稳定的状态。为了在PCM的单元内存储“0”和“1”，先要向其施加一个高的或中等电流，“0”被编入非结晶态，“1”则被编入结晶态或者相反；再朝其施加低电压，就能读回写入的数据。2011年，IBM曾实现在单个相变存储单元中保存1个比特的数据。现在，IBM再下一城，首次成功地在单个单元内存储了3个比特数据。
    论文作者之一哈里斯·普兹迪斯说：“相变存储是通用存储器的首个实例，这种存储器兼具DRAM和闪存的优势，可以解决我们目前面临的挑战。每个单元可存储3个比特的数据是一个重要的里程碑，因为在此密度下，PCM的成本将比DRAM低很多，接近闪存。”
    研究人员指出，未来PCM既可以独当一面，也可作为快速缓冲贮存区，与闪存等存储方式强强联手。例如，将手机的操作系统存储在PCM内，手机则能在数秒内启动；或可将企业数据库存储在PCM内，用于处理一些如金融交易等的紧急事务。


日期：2016年05月25日      来源：科技日报 IBM相变存储技术实现每单元存3比特数据 成本接近闪存
http://www.most.gov.cn/gnwkjdt/201605/t20160525_125786.htm

中国博士发现：用电子束让硬盘存储扩大100倍

悉尼大学中国博士发现神技能：用电子束让硬盘存储扩大100倍

 悉尼大学昨日对外宣布，中国留学生陈子斌与伍伦贡大学的合作者公布最新研究：

 把电子束“照射” 到特种陶瓷材料上，可使得计算机硬盘容量扩大100倍。

 陈子斌是悉尼大学工程与信息技术学部博士研究生，本科毕业于华南理工大学。该研究成果近日已发表在美国物理学会的《物理评论快报》，如果这项研究得到实际应用将有望在未来大大减少硬盘驱动器的使用量，而目前全世界使用的硬盘驱动器大致超过25亿个。

 陈子斌说到：“把世界上所有的硬盘驱动器首尾相连地排列起来，它们可以绕地球5圈。制造这些硬盘驱动器使用了非生物降解的铝和其他金属材料。”

 硬盘驱动器有一项重要的技术难题就是在不增加硬盘尺寸的前提下提升内存容量 。陈子斌介绍说这个项目的重点在记忆存储的材料科学，在铁电材料的氧化物陶瓷中，存在可切换电偶极子的微小域。两个相反的偶极方向可以被用作计算机内存的两个逻辑信号“0”和“1”。

 难题在于如何把域在“0”和“1”之间进行切换。传统的技术采用局部加热、机械应力或者电偏压 —— 这些都存在一定的缺陷。 而我们发现把高能量电子束引入电场可以实现“0”与“1”的切换，并且有能力缩减至当前域尺寸的百分之一，从而让数据存储能力扩大100倍


发布时间：2016-08-12 12:22:00 来源：论坛 作者：佚名 中国博士发现：用电子束让硬盘存储扩大100倍
关键字：硬盘存储
http://storage.chinabyte.com/144/13859144.shtml