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D06-先进微电子与光电子材料
D06-Advanced Microelectronic and Optoelectronic Materials

 征文主题：Si、Ge、SOI、GOI、SiC和化合物半导体等衬底材料；用于集成电路和光电器件制造的高-k/金属栅叠层、Low-k材料、GeSi外延层、GeSn外延层、PCRAM存储材料、RRAM介质材料、STT-MRAM用磁性薄膜等新型薄膜材料；光刻胶、DSA、各类CVD和ALD前驱体、CMP抛光材料、工艺化学品、靶材等集成电路制造工艺材料；新型显示材料；先进封装材料；新型二维材料；新型存储材料与技术显示材料；碳纳米管，石墨烯等碳基功能材料；材料检测技术与方法；材料设计理论与计算模拟。
 Main Topics: (Interest include, but not limited to)
      Substrate materials such as Si, Ge, SOI, GOI, SiC and compound semiconductors;
       High-k, Low-k, GeSi, GeSn, PCRAM, RRAM, STT-MRAM, and other materials used in integrated circuits and optoelectronic devices;
       New display materials;
       Carbon nanotubes, graphene and other carbon based functional materials;
       Photoresists, DSA, CVD and ALD precursors, CMP materials, process chemicals and targets for integrated circuit fabrication and manufacturing;
       Advanced packaging materials;
       Materials characterization technology and methods;
       Materials design theory and simulation;
       Novel two dimensional materials;
       Post-CMOS device options;
       Novel memory materials and technologies.

 分会主席：王曦、汪正平、林庆煌、赵超

 承办单位：集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟
 支持单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所




 论文出版：可推荐至 Springer的Proceedings系列《Lecture Notes in Electrical Engineering》(EI收录）发表。作者也可根据自身情况选择期刊，并提前告知大会联系人。

 联系方式：宋三年   中国科学院上海微系统与信息技术研究所

                       13818144065，   songsannian@mail.sim.ac.cn



D06. 先进微电子与光电子材料
摘要集


日程·

D06.先进微电子与光电子材料
分会主席：王曦、汪正平、杨德仁、赵超、林庆煌
单元 D06-1：7 月 13 日下午
主持人：赵超
地点：会议中心会议室 2F
13:30-13:35 开幕词
13:35-14:15 D06-01 (Keynote)
高速低功耗相变存储材料与应用
宋志棠
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
14:15-14:45 D06-02 (Invited)
新型超高隧穿磁阻 STT-MRAM
曹凯华，王梦醒，彭守仲，张博宇，周家琦，赵巍胜
北京航空航天大学
14:45-15:15 D06-03 (Invited)
三维闪存存储器电荷存储层的可靠性研究
陈杰智
山东大学
15:15-15:35 D06-04
基于离子注入的空位调制相变存储材料
王勇 1,2，宋三年 1
，宋志棠 1
1.上海微系统与信息技术研究所
2.中国科学院大学
15:35-16:00 茶歇
16:00-16:30 D06-05 (Invited)
超薄薄膜表界面的电荷行为
张小娴
国家纳米科学中心
16:30-16:50 D06-06
锰氧化物薄膜表面轨道调控导致的磁性增强效应
彭晶晶
中国航发北京航空材料研究院
16:50-17:10 D06-07
Magnetic Anisotropy in [Pt/Co]4/MgO/[Co/Pt]2 Multilayers
李倩，李磊，周伟，陈军，张思远，蔡建华
西北有色金属研究院
17:10-17:30 D06-08
B 离子注入 4H-SiC 晶体损伤特性的研究
赵金花，秦希峰，李爽
山东建筑大学
单元 D06-2：7 月 14 日上午
主持人：赵超
地点：会议中心会议室 2F
08:30-09:10 D06-09 (Keynote)
柔性导热基板材料及其在柔性电子器件散热应用研究
许建斌
中国科学院深圳先进技术研究院
香港中文大学
09:10-09:40 D06-10 (Invited)
聚合物基电子封装材料研究与应用
孙蓉
中国科学院深圳先进技术研究院
09:40-10:00 D06-11
无铟氧化物半导体薄膜与全透明电子学
吕建国，岳士录，吕容恺，章佳琪，陆波静，叶志镇
浙江大学
10:00-10:20 D06-12
印刷液滴操控制备多分析柔性电子器件
李风煜
1.暨南大学
2.中国科学院化学研究所
10:20-10:50 茶歇
10:50-11:10 D06-13
高质量纳米银线的一步合成及其在柔性透明电极中的应用
研究
李郁秀，杨宏伟，巢云秀，原禧敏，王川
昆明贵金属研究所
11:10-11:30 D06-14
基于水基ALD技术石墨烯/高κ介质异质结直接形成方法和
机理研究
郑理，程新红，周文，徐大伟，沈玲燕，王谦，张栋梁，顾
子悦，吴灯鹏，俞跃辉
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
11:30-11:50 D06-15
金属氧化物半导体纳米纤维场效应晶体管的制备及电学性
能调控
王凤云 1,2，张洪超 1,2，宋龙飞 1,2，朱鑫旭 1,2
1.青岛大学
2.青岛大学国家重点实验室培育基地
单元 D06-3：7 月 14 日下午
主持人：孙蓉
地点：会议中心会议室 2F
13:30-14:00 D06-16 (Invited)
Epitaxial growth of GaN-based heterostructures on Si
substrates
X.L.Yang, J.Zhang, Y.X.Feng, P.F.Ji, J.P.Chen, and B.Shen*
Peking University
14:00-14:30 D06-17 (Invited)
锗预非晶化工艺在先进钛硅化物接触技术中的应用
罗军 1,2，毛淑娟 1,2，张丹 1,2，许静 1
，罗雪 1,2，赵超 1,2，王
文武 1,2，王桂磊 1
1.中国科学院微电子研究所
2.中国科学院大学
14:30-15:00 D06-18 (Invited)
Ge 和 GOI 材料的外延与键合及其应用
王桂磊，罗军，焦斌斌，顾世海，孔真真，云世昌，杨涛，
李俊峰，王文武，赵超，Henry H Radamson
中国科学院微电子研究所
15:00-15:20 D06-19
FIB-TEM 分析技术在晶圆芯片质量改良中的应用
黄亚敏，王秀芳，董业民
中国科学院上海微系统信息与技术研究所
15:20-15:40 D06-20
氮化硅陶瓷覆铜板活性钎焊制备工艺研究
陈波
中国航发北京航空材料研究院
15:40-17:30 墙报
单元 D06-4：7 月 15 日上午
主持人：郝晓涛
地点：会议中心会议室 2F
08:30-09:00 D06-21 (Invited)
柔性锗硅薄膜材料及三维器件
梅永丰
复旦大学
09:00-09:30 D06-22 (Invited)
硅纳米晶体：一种重要的硅基光电子材料
皮孝东
浙江大学材料科学与工程学院和硅材料国家重点实验室
09:30-09:50 D06-23
在斜切Si(001)衬底上GeSi纳米结构的异质外延生长及其特
性研究
钟振扬
1.复旦大学物理系
2.应用表面物理国家重点实验室
3.先进微结构协同创新中心
09:50-10:10 D06-24
二维层状薄膜电学及光电器件
胡平安，冯伟
哈尔滨工业大学
10:10-10:30 D06-25
气固固控制生长高性能<111>-GaSb 纳米线
杨再兴 1
，何颂贤 2
1.山东大学
2.香港城市大学
10:30-10:50 茶歇
10:50-11:10 D06-26
Hetero-integration of wide bandgap semiconductors and Si
substrates by ion-cutting technique
游天桂，伊艾伦，黄凯，张师斌，鄢有泉，林家杰，欧欣
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
11:10-11:30 D06-27
新型碳基二维半导体材料 C3N 的制备与微电子器件应用
杨思维，何朋，丁古巧
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
11:30-11:50 D06-28
半导体光子增益材料的仿真计算
于雅鑫
长安大学
单元 D06-5：7 月 15 日下午
主持人：史方
地点：会议中心会议室 2F
13:30-14:10 D06-29 (Keynote)
使用量子點噴塗來提升 GaN 微顯示全彩化之可靠度研究
李俊甫，林志豪，佘慶威，郭浩中
國立交通大學
14:10-14:40 D06-30 (Invited)
LED 芯片微缩化趋势与技术
陈凯轩
厦门乾照光电股份有限公司
14:40-15:10 D06-31 (Invited)
添加绝缘树脂改善有机光伏器件性能
郝晓涛
山东大学
15:10-15:25 D06-32
金属表面等离子体多级共振在光电探测器中的应用研究
陈洪宇
哈尔滨工业大学
15:25-15:50 茶歇
15:50-16:05 D06-33
单根 n-SnO2/p-CuZnS 微米线异质结型自驱动紫外光电探
测器的性能研究
蔡健，苏龙兴，胡名翔，方晓生
复旦大学
16:05-16:20 D06-34
低维 PN 结构的设计组装及在光伏器件中的应用
张骐
杭州电子科技大学
16:20-16:35 D06-35
肖特基结型 BeZnO 基紫外光电探测器的研究
苏龙兴，蔡健，方晓生
复旦大学
16:35-16:50 D06-36
钙钛矿微纳晶体激光及激光阵列
廖清，何先雄，张海华，付红兵
首都师范大学
16:50-17:05 D06-37
高度规则和均匀的 K3ScF6:Mn4+红色荧光粉的简易可控合
成、显微结构、光致发光特性及其在 LED 器件中的应用
明红 1,3，刘水富 1,3，刘丽丽 1,3，彭家庆 1,3，傅俊祥 1,3，杜
甫 1,3，叶信宇 1,2,3
1.江西理工大学
2.离子型稀土国家工程研究中心
3.江西省稀土荧光材料与器件重点实验室
17:05-17:20 D06-38
基于多孔氮化硼的复合发光材料的研究
何鑫，林靖，黄阳，唐成春
河北工业大学
17:20-17:30 优秀 Poster 颁奖
墙展
D06-P01
射频磁控溅射法制备Mn掺杂CeO2薄膜的结构与铁磁性能
研究
阳生红，蒋志洁，张曰理
中山大学
D06-P02
氮、硫掺杂碳量子点的制备及其光学性能
付丽歌，殷月红
河南理工大学
D06-P03
石墨烯-TiO2 复合结构的反常非线性光学特征
肖思，蒋永强
中南大学
D06-P04
硫化钼改性氧化锌量子点湿敏传感器的超快响应性能研究
龚跃球，李旭军
湘潭大学
D06-P05
磁性掺杂对 LaAlO3/SrTiO3 的输运特性研究
闫虹，金克新
西北工业大学
D06-P06
具有高热稳定性和快速结晶速度的 Ta0.12Sb2Te 合金在相变
存储器中的应用
薛媛 1,2，宋三年 1
，闫帅 1,2，郭天琪 1,2，宋志棠 1
1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所
2.中国科学院大学
D06-P07
刀片电极结构相变存储器的低功耗研究
卢瑶瑶 1,2，蔡道林 1
，宋三年 1
，陈一峰 1
，闫帅 1,2，吴磊 1,2，
刘源广 1,2，李阳 1,2，宋志棠 1
1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所
2.中国科学院大学
D06-P08
基于 OTS 选通器器件测试系统的研究
闫帅 1,2，蔡道林 1
，薛媛 1,2，宋志棠 1
，陈一峰 1
，卢瑶瑶 1,2
1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所
2.中国科学院大学
D06-P09
抗氧化高速 AlSc-SbTe 相变材料与器件研究
章思帆 1
，吴良才 1,2，陈莹 1
，刘万良 1
，石建军 2
，宋三年 1
，
宋志棠 1
1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所
2.东华大学
D06-P10
用于三维相变存储器的 GeSe 薄膜与器件研究
刘广宇 1
，吴良才 1,2，李涛 1
，朱敏 1
，张菁 2
，宋志棠 1
1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所
2.东华大学
D06-P11
铁电场效应晶体管相场有限元模型
蒋丽梅，明浩
1.薄膜材料及器件湖南省重点实验室
2.湘潭大学
D06-P12
与 CMOS 工艺兼容的氧化铪基铁电栅高温快速切换研究
彭强祥 1,2
，兰杨波 1,2
1.薄膜材料及器件湖南省重点实验室
2.湘潭大学材料科学与工程学院
D06-P13
基于Ⅱ-Ⅵ族氧化物合金的能带工程及紫外光电器件研究
苏龙兴 1
，祝渊 2
，方晓生 1
，刘建林 3
，汤子康 4
1.复旦大学
2.南方科技大学
3.加州大学河滨分校
4.澳门大学
D06-P14
PCRAM 材料的电镜研究方法
辛天骄，陈鑫，王秀芳，宋志棠，朱敏
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
D06-P15
三维原子探针研究第六种键-金属价键
朱敏，程扬名，沈佳斌，宋志棠
中国科学院上海微系统与信息技术研究所